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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase Inverter
集电极—发射极电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.85 V
在25 C的连续集电极电流: 39 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
封装 / 箱体: EASY2B
工作温度: - 40 C
工作温度: %2B 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 12 mm
长度: 56.7 mm
栅极/发射极电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
系列: Trenchstop IGBT4 - T4
15
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: EasyPIM
宽度: 62.8 mm
零件号别名: SP000307561 FP25R12W2T4BOMA1
单位重量: 39 g
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase Inverter
集电极—发射极电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.85 V
在25 C的连续集电极电流: 39 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
封装 / 箱体: EASY2B
工作温度: - 40 C
工作温度: %2B 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
高度: 12 mm
长度: 56.7 mm
栅极/发射极电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
系列: Trenchstop IGBT4 - T4
15
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: EasyPIM
宽度: 62.8 mm
零件号别名: SP000307561 FP25R12W2T4BOMA1
单位重量: 39 g