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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
数据列表 IXFN420N10T;
标准包装 10
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 GigaMOS™ HiPerFET™
其它名称 623426
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 420A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.3 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 670nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 47000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1070W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC
文档
HTML 规格书 IXFN420N10T
标准包装 10
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 GigaMOS™ HiPerFET™
其它名称 623426
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 420A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 2.3 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 670nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 47000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 1070W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC
文档
HTML 规格书 IXFN420N10T