深圳市英特瑞斯电子有限公司
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13年
产品信息
制造商: |
Microchip |
产品种类: |
MOSFET |
RoHS: |
详细信息 |
技术: |
Si |
安装风格: |
SMD/SMT |
封装 / 箱体: |
SOT-89-3 |
晶体管极性: |
P-Channel |
通道数量: |
1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: |
500 V |
Id-连续漏极电流: |
160 mA |
Rds On-漏源导通电阻: |
30 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: |
- 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: |
1.5 V |
Qg-栅极电荷: |
- |
小工作温度: |
- 55 C |
大工作温度: |
+ 150 C |
Pd-功率耗散: |
1.6 W |
通道模式: |
Enhancement |
封装: |
Reel |
封装: |
Cut Tape |
封装: |
MouseReel |
商标: |
Microchip Technology |
配置: |
Single |
下降时间: |
25 ns |
正向跨导 - 小值: |
150 mS |
高度: |
1.6 mm |
长度: |
4.6 mm |
产品: |
MOSFET Small Signal |
产品类型: |
MOSFET |
上升时间: |
25 ns |
子类别: |
MOSFETs |
晶体管类型: |
1 P-Channel |
类型: |
FET |
典型关闭延迟时间: |
45 ns |
典型接通延迟时间: |
10 ns |
宽度: |
2.6 mm |
单位重量: |
52.800 mg |