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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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产品信息
参数名称 参数值
生命周期 Transferred
Objectid 2103232335
零件包装代码 BGA
包装说明 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-56
针数 56
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 7.46
其他特性 SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码 R-PBGA-B56
长度 9 mm
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 16
功能数量 1
端子数量 56
字数 4194304 words
字数代码 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
组织 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL
编程电压 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 BALL
端子节距 0.75 mm
端子位置 BOTTOM
生命周期 Transferred
Objectid 2103232335
零件包装代码 BGA
包装说明 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-56
针数 56
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 7.46
其他特性 SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码 R-PBGA-B56
长度 9 mm
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 16
功能数量 1
端子数量 56
字数 4194304 words
字数代码 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
组织 4MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL
编程电压 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 BALL
端子节距 0.75 mm
端子位置 BOTTOM