相关证件：
会员类型：
会员年限：14年
李小姐 
电话：0755-23941053
手机：13560766703
| Source Content uid | CSD16322Q5C |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 2103867575 |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 7.19 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 125 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 子类别 | FET General Purpose Power |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
