- 深圳市英特瑞斯电子有限公司
13年
| 制造商: | onsemi |
| 产品种类: | MOSFET |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
| Id-连续漏极电流: | 380 mA |
| Rds On-漏源导通电阻: | 2.5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.3 V |
| Qg-栅极电荷: | 700 pC |
| Pd-功率耗散: | 420 mW |
| 通道模式: | Enhancement |
| 资格: | AEC-Q101 |
| 系列: | 2N7002K |
| 封装: | Reel |
| 封装: | Cut Tape |
| 封装: | MouseReel |
| 商标: | onsemi |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 29 ns |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 9 ns |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 55.8 ns |
| 典型接通延迟时间: | 12.2 ns |
| 单位重量: | 8 mg |
