深圳市英特瑞斯电子有限公司

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一、EUPEC IGBT器件（含税价,IGBT型号中的电流值按TC=80℃时标称，后面电流值按TC=25℃时标称）
1、两单元――1200V/1700V/3300V/6500V系列
2、两单元――600V系列
3、六单元（低饱和压降型）
4、功率集成模块（三相桥+七单元+温度传感器
5、一单元--1200V/1700V
6、四单元 （H桥 30KHZ高频）
二、EUPEC IGBT驱动电路
2ED300C17-S （可驱动3600A，1700V，两单元）
2ED020I12-F （可驱动 50A，1200V，两单元）
三、EPCOS优质电解电容――超长寿命（85℃时12000小时）、超小体积、高效滤波
四、英飞凌 IGBT单管 600V/1200V
特点：
☆采用沟槽栅+电场终止层（Field stop）IGBT工艺技术
☆参数离散性小，便于批量生产使用
☆可靠性高，高温性能稳定，特性优异，具有的性能价格比
☆型号中电流按Tc=100℃时标称，有效使用电流大
☆600V IGBT单管工作结温可达Tjmax≤175℃
☆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管
☆正温被系数饱和压降易于并联
五、英飞凌 快恢复二极管 600V/1200V
特点：
☆Infineon技术生产（Emcon）快速软恢复二极管；反向恢复软度因子 S<4.4
☆低反向恢复电荷 Qrr<2900nc
☆低正向导通压降:VF=1.5V 且不随温度升高而升高,易于并联.
☆工作结温高达 Tj=175℃ 高温特性好。