- 深圳市英特瑞斯电子有限公司
13年
| 参数名称 | 参数值 |
| Source Content uid | M50FLW080AK5TG |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 2014031177 |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 风险等级 | 9.56 |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 48,13 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 1MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3.3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 部门规模 | 4K,64K |
| 子类别 | Flash Memories |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | TIN |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 切换位 | NO |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 11.43 mm |
