- 深圳市英特瑞斯电子有限公司
13年
| 参数名称 | 参数值 |
| Source Content uid | M58CR064P90ZB6 |
| 生命周期 | Transferred |
| Objectid | 1992150351 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | 6.50 X 10 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-56 |
| 针数 | 56 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 风险等级 | 7.88 |
| 其他特性 | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
| 启动块 | TOP |
| 命令用户界面 | YES |
| 通用闪存接口 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B56 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 10 mm |
| 内存密度 | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 8,127 |
| 端子数量 | 56 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 4MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA56,7X8,30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 页面大小 | 4 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 1.8/2,1.8/3.3 V |
| 编程电压 | 1.8 V |
| 部门规模 | 4K,32K |
| 子类别 | Flash Memories |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 切换位 | NO |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 6.5 mm |
