- 深圳市英特瑞斯电子有限公司
13年
| Source Content uid | M29DW128G60ZA6E |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 108462545 |
| 包装说明 | BGA, BGA64,8X8,40 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 风险等级 | 9.59 |
| 启动块 | BOTTOM/TOP |
| 命令用户界面 | YES |
| 通用闪存接口 | YES |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B64 |
| 内存密度 | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 16 |
| 部门数/规模 | 8,62 |
| 端子数量 | 64 |
| 字数 | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 |
| 组织 | 8MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA64,8X8,40 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 页面大小 | 8 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 部门规模 | 32K,128K |
| 子类别 | Flash Memories |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
