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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 6.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, %2B 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI9
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
产品类型: MOSFET
2500
子类别: MOSFETs
零件号别名: SI9433BDY-GE3
单位重量: 750 mg
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 6.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, %2B 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI9
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
产品类型: MOSFET
2500
子类别: MOSFETs
零件号别名: SI9433BDY-GE3
单位重量: 750 mg