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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 43.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 72 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 167 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 391 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS CFD2
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
240
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
宽度: 5.21 mm
零件号别名: IPW65R080CFDFKSA1 SP000745036 IPW65R080CFDFKSA1
单位重量: 6 g
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 43.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 72 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 167 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 391 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS CFD2
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
240
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
宽度: 5.21 mm
零件号别名: IPW65R080CFDFKSA1 SP000745036 IPW65R080CFDFKSA1
单位重量: 6 g