FGD3N60LSDTM IGBT 晶体管_深圳市英特瑞斯电子有限公司

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深圳市英特瑞斯电子有限公司

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所在地区：广东深圳

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http://www.ytrsdz.com

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FGD3N60LSDTM IGBT 晶体管

型号/规格：

FGD3N60LSDTM

品牌/商标：

封装：

TO-252

批号：

23+

询价

产品信息

制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
栅极/发射极zui大电压: - 25 V, 25 V
在25 C的连续集电极电流: 6 A
Pd-功率耗散: 40 W
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
系列: FGD3N60LSD
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
集电极zui大连续电流 Ic: 6 A
高度: 2.3 mm
长度: 6.6 mm
产品类型: IGBT Transistors
2500
子类别: IGBTs
宽度: 6.1 mm
单位重量: 260 mg

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