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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: Nexperia
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 20 V
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 137 mV
zui大直流电集电极电流: 7 A
Pd-功率耗散: 600 mW
增益带宽产品fT: 115 MHz
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Nexperia
集电极连续电流: 7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 300
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
零件号别名: 934063402115
单位重量: 130.500 mg
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 20 V
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 137 mV
zui大直流电集电极电流: 7 A
Pd-功率耗散: 600 mW
增益带宽产品fT: 115 MHz
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Nexperia
集电极连续电流: 7 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 300
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
零件号别名: 934063402115
单位重量: 130.500 mg