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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 4.5 A, 3.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 3 V
Qg-栅极电荷: 18 nC, 21 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDS4559
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降时间: 6 ns, 12 ns
正向跨导 - zui小值: 14 S, 9 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns, 10 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间: 11 ns, 7 ns
宽度: 3.9 mm
零件号别名: FDS4559_NL
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 4.5 A, 3.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 3 V
Qg-栅极电荷: 18 nC, 21 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDS4559
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降时间: 6 ns, 12 ns
正向跨导 - zui小值: 14 S, 9 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns, 10 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间: 11 ns, 7 ns
宽度: 3.9 mm
零件号别名: FDS4559_NL