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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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产品信息
参数名称 参数值
Source Content uid BZT52H-B6V2
是否Rohsren证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1464818782
包装说明 PLASTIC PACKAGE-2
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
风险等级 7.73
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 ZENER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-F2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
zui高工作温度 150 ?C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性 UNIDIRECTIONAL
zui大功率耗散 0.375 W
ren证状态 Not Qualified
标称参考电压 6.2 V
表面贴装 YES
技术 ZENER
端子面层 TIN
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
zui大电压容差 1.94%
工作测试电流 5 mA
Source Content uid BZT52H-B6V2
是否Rohsren证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1464818782
包装说明 PLASTIC PACKAGE-2
针数 2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.50
风险等级 7.73
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 ZENER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-F2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
zui高工作温度 150 ?C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性 UNIDIRECTIONAL
zui大功率耗散 0.375 W
ren证状态 Not Qualified
标称参考电压 6.2 V
表面贴装 YES
技术 ZENER
端子面层 TIN
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
zui大电压容差 1.94%
工作测试电流 5 mA