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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, %2B 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 58 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS-P2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 14 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD5P3P4L11XT SP000396290 IPD50P03P4L11ATMA1
单位重量: 330 mg
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, %2B 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 58 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS-P2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 14 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD5P3P4L11XT SP000396290 IPD50P03P4L11ATMA1
单位重量: 330 mg