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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 58 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 51 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 155 C
Pd-功率耗散: 46 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI7
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - zui小值: 55 S
高度: 1.04 mm
长度: 6.15 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SI7884BDP-GE3
单位重量: 506.600 mg
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 58 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 51 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 155 C
Pd-功率耗散: 46 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI7
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - zui小值: 55 S
高度: 1.04 mm
长度: 6.15 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SI7884BDP-GE3
单位重量: 506.600 mg