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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 4.7 A, 3.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 36 nC, 38 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 13 ns, 22 ns
正向跨导 - zui小值: 3.3 S, 7.9 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.2 ns, 10 ns
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns, 43 ns
典型接通延迟时间: 8.3 ns, 14 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 4.7 A, 3.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 36 nC, 38 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 13 ns, 22 ns
正向跨导 - zui小值: 3.3 S, 7.9 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.2 ns, 10 ns
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns, 43 ns
典型接通延迟时间: 8.3 ns, 14 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg