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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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产品信息
参数名称 参数值
生命周期 Active
Objectid 145128422909
包装说明 CARD
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
Date Of Intro 2020-04-04
风险等级 7.47
Samacsys Description MLC NAND Flash Serial e-MMC 1.8V/3.3V 64G-bit 64G x 1 153-Pin FBGA
Samacsys Manufacturer SAMSUNG
Samacsys Modified On 2023-12-02 09:08:39
YTEOL 6.85
其他特性 3.3V SUPPLY IS ALSO AVAILABLE
长度 13 mm
内存密度 68719476736 bit
内存集成电路类型 FLASH CARD
内存宽度 8
功能数量 1
字数 8589934592 words
字数代码 8000000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
zui高工作温度 85 ?C
zui低工作温度 -25 ?C
组织 8GX8
封装形式 GRID ARRAY
编程电压 1.8 V
座面zui大高度 0.8 mm
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 OTHER
宽度 11.5 mm
生命周期 Active
Objectid 145128422909
包装说明 CARD
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
Date Of Intro 2020-04-04
风险等级 7.47
Samacsys Description MLC NAND Flash Serial e-MMC 1.8V/3.3V 64G-bit 64G x 1 153-Pin FBGA
Samacsys Manufacturer SAMSUNG
Samacsys Modified On 2023-12-02 09:08:39
YTEOL 6.85
其他特性 3.3V SUPPLY IS ALSO AVAILABLE
长度 13 mm
内存密度 68719476736 bit
内存集成电路类型 FLASH CARD
内存宽度 8
功能数量 1
字数 8589934592 words
字数代码 8000000000
工作模式 ASYNCHRONOUS
zui高工作温度 85 ?C
zui低工作温度 -25 ?C
组织 8GX8
封装形式 GRID ARRAY
编程电压 1.8 V
座面zui大高度 0.8 mm
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 OTHER
宽度 11.5 mm