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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 153 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 39 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 3.4 ns
正向跨导 - zui小值: 70 S
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.4 ns
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 5.5 ns
宽度: 3.3 mm
零件号别名: SP000756338 BSZ18NE2LSXT BSZ018NE2LSATMA1
单位重量: 38.760 mg
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 153 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 39 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 3.4 ns
正向跨导 - zui小值: 70 S
高度: 1.1 mm
长度: 3.3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.4 ns
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 5.5 ns
宽度: 3.3 mm
零件号别名: SP000756338 BSZ18NE2LSXT BSZ018NE2LSATMA1
单位重量: 38.760 mg