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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 300 V
集电极—基极电压 VCBO: 300 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 500 mV
zui大直流电集电极电流: 500 mA
Pd-功率耗散: 1.5 W
增益带宽产品fT: 50 MHz
zui小工作温度: -
zui大工作温度: %2B 150 C
资格: AEC-Q101
系列: PZTA42
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min: 25 at 1 mA, 10 VDC
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
单位重量: 110 mg
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 300 V
集电极—基极电压 VCBO: 300 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 500 mV
zui大直流电集电极电流: 500 mA
Pd-功率耗散: 1.5 W
增益带宽产品fT: 50 MHz
zui小工作温度: -
zui大工作温度: %2B 150 C
资格: AEC-Q101
系列: PZTA42
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min: 25 at 1 mA, 10 VDC
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
1000
子类别: Transistors
技术: Si
单位重量: 110 mg