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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 300 A
Rds On-漏源导通电阻: 920 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 86 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 166 W
通道模式: Enhancement
系列: NTMFS5C410N
封装: Reel
商标: onsemi
产品类型: MOSFET
5000
子类别: MOSFETs
单位重量: 187 mg
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 300 A
Rds On-漏源导通电阻: 920 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 86 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 166 W
通道模式: Enhancement
系列: NTMFS5C410N
封装: Reel
商标: onsemi
产品类型: MOSFET
5000
子类别: MOSFETs
单位重量: 187 mg