NTMFS5C410NT3G 场效应管_深圳市英特瑞斯电子有限公司

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深圳市英特瑞斯电子有限公司

卖家积分： 25001分-26000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

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http://www.ytrsdz.com

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NTMFS5C410NT3G 场效应管

型号/规格：

NTMFS5C410NT3G

品牌/商标：

封装：

DFN

批号：

22+

询价

产品信息

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 300 A
Rds On-漏源导通电阻: 920 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 86 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 166 W
通道模式: Enhancement
系列: NTMFS5C410N
封装: Reel
商标: onsemi
产品类型: MOSFET
5000
子类别: MOSFETs
单位重量: 187 mg

深圳市英特瑞斯电子有限公司

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