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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 130 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 77 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
系列: FDP075N15A
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 21 ns
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 37 ns
50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: FDP075N15A_F102
单位重量: 2 g
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 130 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 77 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
系列: FDP075N15A
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 21 ns
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 37 ns
50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
宽度: 4.7 mm
零件号别名: FDP075N15A_F102
单位重量: 2 g