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李小姐 
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| 制造商: | Nexperia |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | LFPAK-56D-8 |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 通道数量: | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
| Id-连续漏极电流: | 40 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 5.8 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
| Qg-栅极电荷: | 32.3 nC |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 175 C |
| Pd-功率耗散: | 68 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 资格: | AEC-Q101 |
| 封装: | Reel |
| 封装: | Cut Tape |
| 封装: | MouseReel |
| 商标: | Nexperia |
| 配置: | Dual |
| 下降时间: | 17 ns |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 16 ns |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 2 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 21 ns |
| 典型接通延迟时间: | 9.5 ns |
| 零件号别名: | 9.34068E+11 |
| 单位重量: | 100.200 mg |
