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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
| 制造商: | onsemi |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-247-3 |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
| Id-连续漏极电流: | 65 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 40 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
| Qg-栅极电荷: | 158 nC |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 446 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 系列: | SuperFET3 |
| 封装: | Tube |
| 商标: | onsemi |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 29 ns |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 41 ns |
| 30 | |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel SuperFET III MOSFET |
| 典型关闭延迟时间: | 101 ns |
| 典型接通延迟时间: | 41 ns |
| 单位重量: | 6 g |