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会员年限：14年
李小姐 
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| 制造商: | onsemi |
| 产品种类: | IGBT 晶体管 |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 封装 / 箱体: | TO-3PF |
| 安装风格: | Through Hole |
| 配置: | Single |
| 集电极—发射极大电压 VCEO: | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压: | 1.9 V |
| 栅极/发射极大电压: | - 20 V, + 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流: | 80 A |
| Pd-功率耗散: | 115 W |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 175 C |
| 系列: | FGAF40N60SMD |
| 封装: | Tube |
| 商标: | onsemi / Fairchild |
| 栅极—射极漏泄电流: | 400 nA |
| 产品类型: | IGBT Transistors |
| 子类别: | IGBTs |
| 单位重量: | 7 g |
