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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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产品信息
Rds On-漏源导通电阻: | 4.9 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 5 V |
Qg-栅极电荷: | 23 nC |
小工作温度: | - 55 C |
大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 85 W |
通道模式: | Enhancement |
商标名: | QFET |
系列: | FQP3P50 |
封装: | Tube |
商标: | onsemi / Fairchild |
配置: | Single |
下降时间: | 45 ns |
正向跨导 - 小值: | 2.35 S |
高度: | 16.3 mm |
长度: | 10.67 mm |
产品类型: | MOSFET |
上升时间: | 56 ns |
50 | |
子类别: | MOSFETs |
晶体管类型: | 1 P-Channel |
类型: | MOSFET |
典型关闭延迟时间: | 35 ns |
典型接通延迟时间: | 12 ns |
宽度: | 4.7 mm |
单位重量: | 2 g |