相关证件：
会员类型：
会员年限：14年
李小姐 
电话：0755-23941053
手机：13560766703
| 制造商: | Infineon |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-220-3 |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 55 V |
| Id-连续漏极电流: | 77 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 12 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
| Qg-栅极电荷: | 60 nC |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 175 C |
| Pd-功率耗散: | 158 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 资格: | AEC-Q101 |
| 封装: | Tube |
| 商标: | Infineon Technologies |
| 配置: | Single |
| 高度: | 15.65 mm |
| 长度: | 10 mm |
| 产品类型: | MOSFET |
| 500 | |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 宽度: | 4.4 mm |
| 零件号别名: | IPP77N06S2-12 SP001061292 |
| 单位重量: | 2 g |
