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李小姐 
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| 制造商: | Infineon |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | TO-252-3 |
| 晶体管极性: | P-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
| Id-连续漏极电流: | 13 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 205 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
| Qg-栅极电荷: | 58 nC |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 66 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 资格: | AEC-Q101 |
| 封装: | Reel |
| 封装: | Cut Tape |
| 封装: | MouseReel |
| 商标: | Infineon Technologies |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 46 ns |
| 正向跨导 - 小值: | 3.2 S |
| 高度: | 2.3 mm |
| 长度: | 6.5 mm |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 58 ns |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 45 ns |
| 典型接通延迟时间: | 15 ns |
| 宽度: | 6.22 mm |
| 单位重量: | 330 mg |
