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李小姐 
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| 制造商: | Infineon |
| 产品种类: | MOSFET |
| RoHS: | 详细信息 |
| 技术: | Si |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | TO-263-3 |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
| Id-连续漏极电流: | 22.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 135 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷: | 86 nC |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 195.3 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 商标名: | CoolMOS |
| 系列: | CoolMOS CFD2 |
| 封装: | Reel |
| 封装: | Cut Tape |
| 封装: | MouseReel |
| 商标: | Infineon Technologies |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 5.6 ns |
| 高度: | 4.4 mm |
| 长度: | 10 mm |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 7.6 ns |
| 1000 | |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 52.8 ns |
| 典型接通延迟时间: | 12.4 ns |
| 宽度: | 9.25 mm |
| 零件号别名: | IPB65R150CFDATMA1 SP000907034 IPB65R150CFDATMA1 |
| 单位重量: | 4 g |
