MK60DN512VMC10射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管_深圳市英特瑞斯电子有限公司

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企业信息

深圳市英特瑞斯电子有限公司

卖家积分： 25001分-26000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

企业网站：
http://www.ytrsdz.com

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相关证件：营业执照已审核

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会员年限：14年

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手机：13560766703

阿库IM：

地址：深圳市福田区鹏基工业区101栋4楼H18

传真：0755-23996997

E-mail：yinteruisielec@163.com

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供应MK60DN512VMC10射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

供应MK60DN512VMC10射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

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MK60DN512VMC10射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

型号/规格：

MK60DN512VMC10

品牌/商标：

ADI

封装：

BGA

批号：

22+

QQ:2885615964

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产品信息

制造商:	NXP
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:	详细信息
技术:	Si
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	NXP Semiconductors
产品类型:	RF MOSFET Transistors
子类别:	MOSFETs
晶体管类型:	LDMOS FET
类型:	RF Power MOSFET
零件号别名:	9.35313E+11
单位重量:	4.160 g
制造商:	NXP
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:	详细信息
技术:	Si
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	NXP Semiconductors
产品类型:	RF MOSFET Transistors
子类别:	MOSFETs
晶体管类型:	LDMOS FET
类型:	RF Power MOSFET
零件号别名:	9.35313E+11
单位重量:	4.160 g

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