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李小姐 
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| 制造商: | IXYS |
| 产品种类: | 分立半导体模块 |
| RoHS: | 详细信息 |
| 产品: | Power MOSFET Modules |
| 技术: | Si |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V |
| 安装风格: | Chassis Mount |
| 封装 / 箱体: | SOT-227-4 |
| 小工作温度: | - 55 C |
| 大工作温度: | + 150 C |
| 系列: | IXFN38N100 |
| 封装: | Tube |
| 商标: | IXYS |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 15 ns |
| 高度: | 9.6 mm |
| Id-连续漏极电流: | 38 A |
| 长度: | 38.23 mm |
| 通道数量: | 1 Channel |
| Pd-功率耗散: | 890 W |
| 产品类型: | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On-漏源导通电阻: | 250 mOhms |
| 上升时间: | 28 ns |
| 子类别: | Discrete Semiconductor Modules |
| 商标名: | HiPerFET |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 57 ns |
| 典型接通延迟时间: | 25 ns |
| Vds-漏源极击穿电压: | 1 kV |
| 宽度: | 25.42 mm |
| 单位重量: | 30 g |
