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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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产品信息
| 参数名称 | 参数值 |
| Source Content uid | M48Z129V-85PM1 |
| 生命周期 | Obsolete |
| Objectid | 1521061538 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, MODULE, DIP-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.32.00.41 |
| 风险等级 | 9.54 |
| Samacsys Manufacturer | STMicroelectronics |
| Samacsys Modified On | 2020/6/25 0:47 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 42.8 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3.3 V |
| 子类别 | SRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm |