- 深圳市英特瑞斯电子有限公司
13年
| 参数名称 | 参数值 |
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8357345534 |
| 包装说明 | LBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Country Of Origin | Mainland China |
| ECCN代码 | 5A992.C |
| HTS代码 | 8542.31.00.01 |
| Factory Lead Time | 52 weeks |
| 风险等级 | 7.66 |
| YTEOL | 8.03 |
| 具有ADC | YES |
| 地址总线宽度 | |
| 位大小 | 32 |
| 边界扫描 | YES |
| CPU系列 | E200Z4 |
| DAC 通道 | NO |
| DMA 通道 | YES |
| 外部数据总线宽度 | |
| 格式 | FLOATING POINT |
| 集成缓存 | YES |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B256 |
| JESD-609代码 | e2 |
| 长度 | 17 mm |
| 低功率模式 | YES |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| DMA 通道数量 | 32 |
| 外部中断装置数量 | 1 |
| I/O 线路数量 | 178 |
| 端子数量 | 256 |
| 计时器数量 | 64 |
| 片上数据RAM宽度 | 8 |
| 片上程序ROM宽度 | 8 |
| PWM 通道 | NO |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA256,16X16,40 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| RAM（字节） | 524288 |
| ROM（单词） | 4194304 |
| ROM可编程性 | FLASH |
| 筛选级别 | ISO 26262 |
| 速度 | 160 MHz |
| 标称供电电压 | 1.25 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 端子面层 | TIN SILVER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 17 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROCONTROLLER, RISC |
