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会员年限：14年
李小姐 
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| Source Content uid | 2SD2655WM-TL-E |
| Brand Name | Renesas |
| 是否无铅 | 不含铅 不含铅 |
| 生命周期 | End Of Life |
| Objectid | 1818612916 |
| 零件包装代码 | MPAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | PLSP0003ZB |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 风险等级 | 9.26 |
| Samacsys Description | Renesas Electronics 2SD2655WM-TL-E NPN Bipolar Transistor, 1 A, 50 V, 3-Pin SC-59A |
| Samacsys Manufacturer | Renesas Electronics |
| Samacsys Modified On | 2023/3/7 16:10 |
| YTEOL | 2.5 |
| 配置 | SINGLE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e6 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 子类别 | Other Transistors |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN BISMUTH |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 280 MHz |
