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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.47 V
栅极/发射极zui大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 141 A
Pd-功率耗散: 543 W
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
系列: Discrete IGBT
资格: AEC-Q101
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极zui大连续电流 Ic: 141 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
1000
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.47 V
栅极/发射极zui大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 141 A
Pd-功率耗散: 543 W
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
系列: Discrete IGBT
资格: AEC-Q101
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极zui大连续电流 Ic: 141 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
1000
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g