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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFPAK-33-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 59 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 3.7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.2 ns
1500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.2 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: 934660807115
单位重量: 100.200 mg
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFPAK-33-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.4 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 59 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 3.7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.2 ns
1500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.2 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: 934660807115
单位重量: 100.200 mg