产品信息
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 187 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 78 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
系列: CSD19535KCS
封装: Tube
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 值: 274 S
高度: 16.51 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
宽度: 4.7 mm
单位重量: 2 g
