FP50R06W2E3 IGBT 模块_深圳市英特瑞斯电子有限公司

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深圳市英特瑞斯电子有限公司

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所在地区：广东深圳

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http://www.ytrsdz.com

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FP50R06W2E3 IGBT 模块

型号/规格：

FP50R06W2E3

品牌/商标：

INFINEON

封装：

MODULE

批号：

22+

询价

产品信息

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 3-Phase Inverter
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.45 V
在25 C的连续集电极电流: 65 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
封装 / 箱体: Module
工作温度: - 40 C
工作温度: %2B 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极电压: 20 V
安装风格: SMD/SMT
产品类型: IGBT Modules
系列: Trench/Fieldstop IGBT3 - E3
15
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: EasyPIM
零件号别名: SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1
单位重量: 39 g

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