- 非IC关键词
深圳市英特瑞斯电子有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.ytrsdz.com
收藏本公司 人气：852925
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：13年
- 李小姐
- 电话：0755-23941053
- 手机：13560766703
- 阿库IM：
- 地址：深圳市福田区鹏基工业区101栋4楼H18
- 传真：0755-23996997
- E-mail：yinteruisielec@163.com
您的当前位置：深圳市英特瑞斯电子有限公司 > 元器件产品
相关产品
产品信息
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 41 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 66 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 90 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NVD6824NL
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
产品类型: MOSFET
2500
子类别: MOSFETs
单位重量: 330 mg
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 41 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 66 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 90 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NVD6824NL
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
产品类型: MOSFET
2500
子类别: MOSFETs
单位重量: 330 mg