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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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相关产品
产品信息
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零件状态
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在售
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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25 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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5A（Tc）
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驱动电压（ Rds On， Rds On）
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3V，8V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（值）
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24 毫欧 @ 4A，8V
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不同 Id 时 Vgs(th)（值）
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1.55V @ 250μA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值）
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2.8 nC @ 4.5 V
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Vgs（值）
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+10V，-8V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值）
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340 pF @ 12.5 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（值）
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2.3W（Ta）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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6-SON
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封装/外壳
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6-SMD，扁平引线
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基本产品编号
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CSD16301
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