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深圳市英特瑞斯电子有限公司
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产品信息
Categories Discrete Semiconductor Products
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer ON Semiconductor
Series QFET®
Packaging ? Tube ?
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 3A, 10V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220F
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer ON Semiconductor
Series QFET®
Packaging ? Tube ?
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1770pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 3A, 10V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220F
Package / Case TO-220-3 Full Pack
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：李先生
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