- 深圳市英特瑞斯电子有限公司
13年
| 生命周期 | Active |
| Objectid | 8327186794 |
| 包装说明 | R-PDSO-F2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Country Of Origin | Mainland China |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8541.10.00.50 |
| 风险等级 | 7.06 |
| YTEOL | 6.4 |
| 其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
| 击穿电压标称值 | 17.6 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 反向测试电压 | 15 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
