- 深圳市英特瑞斯电子有限公司
13年
| 是否无铅 | 不含铅 不含铅 | |
| 生命周期 | Transferred | |
| Objectid | 1124628118 | |
| 包装说明 | LBGA, BGA64,8X8,40 | |
| Reach Compliance Code | compliant | |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.A | |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 | |
| 风险等级 | 7.8 | |
| 命令用户界面 | YES | |
| 通用闪存接口 | YES | |
| 数据轮询 | YES | |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B64 | |
| JESD-609代码 | e1 | |
| 长度 | 13 mm | |
| 内存密度 | 134217728 bit | |
| 内存集成电路类型 | EEPROM CARD | |
| 内存宽度 | 16 | |
| 湿度敏感等级 | 3 | |
| 功能数量 | 1 | |
| 部门数/规模 | 128 | |
| 端子数量 | 64 | |
| 字数 | 8388608 words | |
| 字数代码 | 8000000 | |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | |
| 组织 | 8MX16 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码 | LBGA | |
| 封装等效代码 | BGA64,8X8,40 | |
| 封装形状 | RECTANGULAR | |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | |
| 页面大小 | 16 words | |
| 并行/串行 | PARALLEL | |
| 电源 | 3/3.3 V | |
| 编程电压 | 2.7 V | |
| 就绪/忙碌 | YES | |
| 部门规模 | 64K | |
| 子类别 | Flash Memories | |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | |
| 表面贴装 | YES | |
| 技术 | CMOS | |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | |
| 端子面层 | TIN SILVER COPPER | |
| 端子形式 | BALL | |
| 端子节距 | 1 mm | |
| 端子位置 | BOTTOM | |
| 切换位 | YES | |
| 类型 | NOR TYPE | |
| 宽度 | 11 mm |
